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산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막

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기관명	NDSL
출원인	한국기계연구원
출원번호	10-2018-0099028
출원일자	2018-08-24
공개번호	20180906
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 다공성 세라믹 지지층 상에 SiC를 이용하여 코팅층을 형성시킨 후 산화 분위기에서 소결하여 SiC 입자 표면에 SiO 2 산화막을 형성시킨다. 이러한 SiO 2 산화막의 낮은 결합 온도를 활용하여 수처리용 세라믹 분리막을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막은 다공성 세라믹 지지층; 및 상기 다공성 세라믹 지지층 상에 형성된 SiC층;을 포함하고, 상기 SiC층은 표면에 SiO 2 산화막이 형성된 SiC 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020180099028
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