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특허/실용신안
이온 가속기를 갖는 듀얼 챔버 플라즈마 에칭기
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 램 리써치 코포레이션 |
| 출원번호 | 10-2014-0087285 |
| 출원일자 | 2014-07-11 |
| 공개번호 | 20150122 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 본 명세서에서의 실시예들은 전반적으로 반도체 프로세싱 방법 및 장치를 다룬다. 보다 구체적으로, 실시예들은 반도체 기판을 에칭하는 방법 및 장치에 관한 것이다.부분적으로 제조된 반도체 기판이 반응 챔버 내에 제공된다.반응 챔버는 그리드 어셈블리에 의해서 하부 서브-챔버와 상부 서브-챔버로 분할된다.플라즈마는 상부 서브-챔버에서 생성되고, 기판은 하부 서브-챔버 내에 위치한다.그리드 어셈블리는 적어도 2 개의 그리드를 포함하며, 각 그리드는 네거티브로 바이어스되고, 특정 종들이 자신을 통과하게 하는 천공들을 포함한다.최상부 그리드는 전자들에 척력을 부여하기 위해서 네거티브로 바이어스된다.상부 서브-챔버로부터 하부 서브-챔버로 양이온을 가속시키기 위해서, 최하부 그리드가 (최상부 그리드에 비해서) 보다 더 네거티브하게 바이어스된다.에칭 가스가 하부 서브-챔버에 직접적으로 공급된다.에칭 가스 및 이온들은 기판 표면과 반응하여서 목표한 바와 같이 기판을 에칭한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140087285 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/3065,H01L-021/02 |
| 주제어 (키워드) |