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특허/실용신안
저온 다결정실리콘 박막 및 그 제조방법, 트랜지스터
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 |
| 출원번호 | 10-2016-7016631 |
| 출원일자 | 2016-06-22 |
| 공개번호 | 20160728 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 본 발명은 저온 다결정실리콘의 제조 방법을 개시하는데, 비결정질실리콘 박막층을 생장하는 단계를 포함하고, 우선, 상기 비결정질실리콘 박막층에 산화규소층을 생장시키는 단계;다음으로, 상기 산화규소층에 다수개의 오목형 커브면을 만들고, 상기 오목형 커브면은 상기 산화규소층에 수직으로 조사하는 빛이 굴절되도록 하는 단계;마지막으로 엑시머레이저빔을 이용하여 상기 산화규소층으로부터 상기 비결정실리콘 박막층에 조사하여, 상기 비결정층실리콘 박막층이 결정되어 저온 다결정실리콘 박막을 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명은 또한 상술한 방법으로 제조하여 획득한 저온 다결정실리콘 박막 및 이 저온 다결정실리콘 박막의 트랜지스터를 제공한다. 본 발명은 엑시머레이저열처리 제조 공정에서 저온 다결정실리콘 박막을 제조할 때, 재결정되는 시작점과 방향이 제어 가능하고, 비교적 큰 다결정실리콘 결정입자를 얻어낼 수 있다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016631 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/02,H01L-021/20,H01L-027/12,H01L-029/786 |
| 주제어 (키워드) |