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특허/실용신안

희토류 자석의 제조 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 도요타 지도샤(주)
출원번호 10-2016-7016700
출원일자 2016-06-22
공개번호 20160728
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 방법은: (Rl) x (Rh) y T z B s M t 의 조성을 가진 소결체를 제조하는 단계; 상기 소결체에 열간 변형 가공을 실시함으로써 전구체를 제조하는 단계; 및 450℃ ~ 700℃ 의 온도 범위에서 상기 전구체에 시효 처리를 실시함으로써 희토류 자석을 제조하는 단계를 포함한다. 상기 방법에서, 상기 주상은 (RlRh) 2 T 14 B 상으로 형성된다. 입자 계면상에서 (RlRh) 1.1 T 4 B 4 의 함량은 0 질량% 초과 50 질량% 이하이다. Rl 은 경희토류 원소를 나타낸다. Rh 는 중희토류 원소를 나타낸다. T 는 천이 금속을 나타낸다. M 은 Ga, Al, Cu 및 Co 중 적어도 1 종을 나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 R1, Rh, T, B 및 M 의 질량% 를 나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 다음의 식: 27≤x≤44, 0≤y≤10, z=100-x-y-s-t, 0.75≤s≤3.4, 0≤t≤3 으로 나타낸다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016700
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01F-001/057,H01F-041/02
주제어 (키워드)