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특허/실용신안

하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
출원번호 10-2014-0084925
출원일자 2014-07-08
공개번호 20150122
공개일자 2016-04-19
등록번호 10-1613712-0000
등록일자 2016-04-12
권리구분 KPTN
초록 본 발명의 일태양의 하전 입자빔 묘화 장치는, 서로 일방 상대가 데이터 전송 처리 중에, 타방이, 데이터 변환 처리된, 미리 설정된 n 개의 처리 영역보다 많은 N 개의 처리 영역분의 처리 데이터를 입력하고, 서로 일방이 데이터 입력 처리 중에, 타방이 (N - n) 개의 처리 영역분의 처리 데이터를 차례로 전송하는 제1 전송 처리와, 제1 전송 처리의 종료 후에 나머지 n 개의 처리 영역분의 처리 데이터를 차례로 전송하는 제2 전송 처리로 나눈 데이터 전송 처리를 행하고, 서로 일방이 데이터 입력 처리를 행할 시, 타방의 제1 전송 처리 중에서 처리 데이터의 입력을 개시하고, 제2 전송 처리 개시 후에는 추가의 새로운 처리 영역분의 처리 데이터의 입력을 행하지 않는 제1과 제2 전송부와, 제1과 제2 전송부로부터 전송된 처리 영역마다의 처리 데이터에 따라, 하전 입자빔을 편향하는 편향량을 제어하는 편향 제어 회로를 구비하고, 상술한 n은, 복수의 변환 처리부의 1 이상의 변환 처리부로부터 제1과 제2 전송부의 일방으로의 1 회의 데이터 입력 처리에 걸리는 시간을 제1과 제2 전송부의 타방으로부터 편향 제어 회로로의 1 개의 처리 영역분의 처리 데이터의 전송에 걸리는 시간으로 나눈 값 이상의 값으로 설정되는 것을 특징으로 한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020140084925
첨부파일

추가정보

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