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에칭 방법 및 기억 매체

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2015-0128539
출원일자	2015-09-10
공개번호	20160404
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	원자층 퇴적법에 의해 성막한 산화 실리콘막을 열산화막 등의 다른 방법으로 형성된 산화 실리콘막에 대하여 고선택비로 에칭할 수 있는 에칭 방법을 제공한다.표면에 원자층 퇴적법에 의해 형성된 제1 산화 실리콘막을 갖고, 제1 산화 실리콘막에 인접하여, 원자층 퇴적법 이외의 다른 방법에 의해 형성된 제2 산화 실리콘막을 갖는 피처리 기판을 챔버 내에 배치하고, 챔버 내에, HF 가스 또는 HF 가스 및 F 2 가스와, 알코올 가스 또는 수증기를 공급하고, 이에 의해 제1 산화 실리콘막을 제2 산화 실리콘막에 대하여 선택적으로 에칭한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150128539
첨부파일

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