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에칭 방법

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기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2016-0004853
출원일자	2016-01-14
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	(과제) 질화실리콘으로 구성된 제 2 영역이 깎이는 것을 억제하면서, 산화실리콘으로 구성된 제 1 영역을 에칭한다. (해결 수단) 일 실시 형태의 방법은, (a) 피처리체를 수용한 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 1 공정과, (b) 피처리체를 수용한 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 더 생성하는 제 2 공정과, (c) 제 1 공정 및 제 2 공정에 의해 처리체상에 형성되는 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 제 1 영역을 에칭하는 제 3 공정을 포함한다.제 1 공정에 있어서 플라즈마를 생성하기 위해 이용되는 고주파 전력은, 제 2 공정에 있어서 플라즈마를 생성하기 위해 이용되는 고주파 전력보다 작다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160004853
첨부파일

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