| 초록 |
본 발명은, 디바이스에 형성된 전극이 돌기형의 범프 전극인 웨이퍼이더라도, 다이싱 테이프의 이면측으로부터 다이싱 테이프를 통해 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써, 디바이스를 파손시키지 않고 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 원하는 개질층을 형성할 수 있는 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 표면에 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 범프 전극을 구비한 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프의 표면을 접착하고, 다이싱 테이프의 외주부를 환상의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정과, 유지 테이블의 유지면에 웨이퍼의 표면측을 유지하고, 환상의 프레임을 프레임 클램프에 의해 고정하는 웨이퍼 유지 공정과, 다이싱 테이프의 이면측으로부터 다이싱 테이프를 통해, 레이저 광선의 집광점을 디바이스 영역과 외주 잉여 영역의 경계부의 내부에 위치시켜 디바이스 영역과 외주 잉여 영역의 경계부를 따라 조사하여, 웨이퍼의 내부에 디바이스 영역과 외주 잉여 영역의 경계부를 따라 환상의 개질층을 형성하는 환상 개질층 형성 공정과, 다이싱 테이프의 이면측으로부터 다이싱 테이프를 통해 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 포함한다. |
