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하이-κ 유전성 막 및 세륨계 전구체를 이용한 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	시그마 알드리치 컴퍼니 엘엘씨
출원번호	10-2016-7017020
출원일자	2016-06-24
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 금속-소스 전구체 및 식 I에 따른 세륨계 β-디케토네이트 전구체를 이용하는 화학적 상 증착 공정에 의해 하이-κ 유전성 막을 형성하고 안정화시키는 방법을 제공한다: Ce(L) x (식 I), 식에서, L은 β-디케토네이트이고; x는 3 또는 4임.본 발명은 또한, 식 I에 따른 세륨 전구체를 사용함으로써, 반도체 장치의 하이-κ 게이트 특성을 향상시키는 방법을 제공한다.또한, 산화하프늄, 산화티타늄 또는 이것들의 혼합물을 포함하고, 유전율을 유지 또는 증가시키는 양의 세륨 원자를 추가로 함유하는, 하이-κ 유전성 막이 제공된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017020
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