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특허/실용신안

이온 내충격성을 가진 전자 방출 구조물

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 나녹스 이미징 피엘씨
출원번호 10-2016-7013784
출원일자 2016-05-24
공개번호 20160808
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 X-레이 에미터 장치의 전자 방출 구조물 설계는 X-레이 스펙트럼에서의 방출을 용이하게 하도록 구성되고 또한 고압 용례에서 냉음극가 이온 충격에 의해 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다. 방출 구조물에 의해 방출된 전자 빔은 집속되고 전자 빔을 관련된 초점 스폿으로 끌어당기도록 가동되는 전자 애노드 타겟을 향하여 전기장에 의해 가속화되며, 상기 발생된 이온은 전자 애노드 타겟의 표면에 대해 평행한 전기장에 대해 수직한 궤적을 따라 가속화된다. 더욱 자세하게는, 본 발명은 에미터 영역에 의해 둘러싸여진 또는 에미터 영역 사이에 설정되는 넌-에미터 구역의 설정에 의해, 고압 용례에서 이온 충격 손상을 회피하기 위한 견고한 냉음극를 실현하는 것에 관한 것이다. 상기 시스템은 이온 충돌 손상을 더 감소시키기 위해 각도진 타겟 애노드 또는 스텝형 타겟 애노드를 제공하도록 추가로 구성된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167013784
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01J-035/08,H01J-035/06
주제어 (키워드)