자성 나노입자를 포함하는 전자소자 및 이의 제조방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
출원번호 | 10-2015-0008862 |
출원일자 | 2015-01-19 |
공개번호 | 20160609 |
공개일자 | 2016-06-03 |
등록번호 | 10-1627289-0000 |
등록일자 | 2016-05-30 |
권리구분 | KPTN |
초록 | 본 발명은 자성 나노입자를 포함하는 전자소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전자소자 및 이의 제조방법은 자성 나노입자를 전자소자에 적용 경우, 해당 전자소자에서 요청되는 적절한 배열이 가능한 전자소자를 제공할 수 있다. 그리하여 종래 기술에 의하여 전자소자의 제조시 자성 나노입자를 적용하여 제조하게 되면, 자성 나노입자 특유의 전기적 또는 자기적 특성이 전자소자에서 유익하게 발현될 수 있음에도, 자성 나노입자의 성질상 전자소자에 적절하도록 배열하는 것이 어려워 기대하였던 효과를 달성하지 못하였던 문제점을 획기적으로 개선하였다. 또한 자성 나노입자를 기판 상에 효과적으로 배열하면서 전체 전자소자의 전기적 또는 자기적 수송특성을 효과적으로 조절하는 것이 가능하다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020150008862 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01F-010/32,B82B-001/00,H01L-043/08 |
주제어 (키워드) |