| 초록 |
본 발명은, 공정 챔버(1), 공정 챔버(1)의 바닥을 형성하고 하나 또는 다수의 코팅될 기판을 수용하기 위한 서셉터(2)(susceptor), 서셉터(2)를 공정 온도까지 가열하기 위한 가열 장치(3), 및 수소화물 및 MO-화합물을 공정 챔버(1) 내부로 도입하기 위한 하나 이상의 제1 및 제2 공정 가스-유입 구역(5, 6, 7)을 구비하는 가스 유입 기관(4)을 갖춘, 3-5족-반도체 층을 증착하기 위한 장치에 관한 것이다.에칭 가스 유입구(9)가 수소화물 및 MO-화합물의 유동 방향(23)으로 볼 때 공정 가스-유입 구역(5, 6, 7)의 하류에서 공정 챔버(1) 내부와 통하는 것이 제안되며, 이 경우에는, 공정 가스-유입 구역(5, 6, 7)으로부터 배출되는 공정 가스가 반도체 층을 증착할 때에 에칭 가스 유입구(9)로 유입될 수 없도록 그리고 공정 챔버를 세척할 때에 에칭 가스 유입구(9)로부터 배출되는 에칭 가스가 공정 가스-유입 구역(5, 6, 7)으로 유입될 수 없도록 제어 장치(22)가 설계되어 있고, 공정 가스-유입 구역(5, 6, 7) 및 에칭 가스 유입구(9)가 또한 이러한 방식으로 배치되어 있다.에칭 가스 유입구(9)는 가스 유입 기관(4) 둘레를 덮는 공정 챔버 덮개의 환상 구역에 의해서 그리고 덮개 플레이트(25)를 고정하기 위한 환상의 고정 요소(8)에 의해서 형성되어 있다. |
