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SI 웨이퍼들 상의 Ⅲ-Ⅴ 디바이스들의 집적화

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2016-7003803
출원일자	2016-02-15
공개번호	20160609
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	절연 층은 기판 상의 트렌치 내의 복수의 메사 구조 상에 등각으로 피착된다.절연 층은 메사 구조들 외부의 공간을 채운다.핵형성 층은 메사 구조들 상에 피착된다.Ⅲ-Ⅴ 재료 층은 핵형성 층 상에 피착된다.Ⅲ-Ⅴ 재료 층은 절연 층 위에 측방향으로 성장한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167003803
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