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루테늄막의 성막 방법, 성막 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2016-0017229
출원일자	2016-02-15
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	CVD법에 의해, 얇고, 또한 연속적인 루테늄막을 형성하는 방법을 제공한다. 루테늄막의 성막 방법은, CO 가스를 수용하는 CO 가스 용기(43)로부터, 성막 원료로서 고체 상태의 루테늄 카르보닐을 수용하는 성막 원료 용기(41)에 캐리어 가스로서 CO 가스를 공급함으로써, 루테늄 카르보닐 가스를 CO 가스와의 혼합 가스로서 처리 용기(1) 내로 도입하고, 웨이퍼(W) 상에서 루테늄 카르보닐을 분해시켜 루테늄막을 성막하는 퇴적 공정과, 처리 용기(1) 내에의 혼합 가스의 도입을 정지한 상태에서, CO 가스 용기(43)로부터 CO 가스를 처리 용기(1) 내로 직접 도입하여 웨이퍼(W)의 표면에 CO 가스를 접촉시키는 CO 가스 도입 공정을 포함한다. 바람직하게는, 퇴적 공정과 CO 가스 도입 공정을 복수 회 반복한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160017229
첨부파일

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