저 접촉 저항 박막 트랜지스터
기관명 | NDSL |
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출원인 | 에보니크 데구사 게엠베하 |
출원번호 | 10-2016-7015436 |
출원일자 | 2016-06-10 |
공개번호 | 20160721 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 발명은 상부에 게이트 전극 층(101)이 침착 및 패턴화되어 있는 기판(100), 및 게이트 전극 층 및 기판 상에 침착된 게이트 절연체 층(102)을 포함하는 신규한 박막 트랜지스터 (TFT)이며, 상기 트랜지스터는 (i) 게이트 절연체 층 위쪽에 배열된 캐리어 주입 층(103), (ii) 캐리어 주입 층 상에 침착된 소스/드레인 (S/D) 전극 층(104) 및 (iii) 반도체 층(106)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT, 이러한 신규한 TFT의 제조 방법, 이러한 TFT를 포함하는 장치 및 이러한 TFT의 용도에 관한 것이다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015436 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/786,H01L-029/417,H01L-029/45 |
주제어 (키워드) |