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랩-어라운드 컨택트들을 가진 나노와이어 구조들

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2016-7015577
출원일자	2016-06-10
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	랩-어라운드(wrap-around) 컨택트들을 갖는 나노와이어 구조들이 기술되어 있다.예를 들어, 나노와이어 반도체 디바이스는 기판 상에 배치된 나노와이어를 포함한다.채널 영역은 나노와이어에 배치된다.채널 영역은 길이 및 그 길이에 직교하는 주변부(perimeter)를 갖는다.게이트 전극 스택(gate electrode stack)은 채널 영역의 주변부 전체를 둘러싼다.한 쌍의 소스 및 드레인 영역들은 나노와이어에서 채널 영역의 양쪽에 배치된다.소스 및 드레인 영역들의 각각은 채널 영역의 길이에 직교하는 주변부를 갖는다.제1 컨택트는 소스 영역의 주변부를 완전히 둘러싼다.제2 컨택트는 드레인 영역의 주변부를 완전히 둘러싼다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015577
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