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반도체 장치의 제조 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	미쓰비시덴키 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7015446
출원일자	2016-06-10
공개번호	20160721
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 반도체 기판의 그 제 2 주면에, 가속 에너지가 상이한 복수 회의 이온 주입으로 제 1 도전형 불순물을 주입하고, 그 반도체 기판에 제 1 불순물 영역을 형성하는 제 1 공정과, 그 제 2 주면에, 그 복수 회의 이온 주입보다 낮은 가속 에너지로 제 2 도전형 불순물을 이온 주입하고, 그 반도체 기판에, 그 제 1 불순물 영역과의 사이에 불순물이 주입되지 않는 무주입 영역을 남기도록 제 2 불순물 영역을 형성하는 제 2 공정과, 그 제 1 도전형 불순물로 버퍼층을 형성하고, 그 제 2 도전형 불순물로 콜렉터층을 형성하고, 그 버퍼층과 그 콜렉터층의 사이에 그 제 1 도전형 불순물과 그 제 2 도전형 불순물이 확산되지 않는 무확산 영역을 남기도록 그 반도체 기판에 열처리를 실시하는 열처리 공정과, 그 콜렉터층에 접하는 콜렉터 전극을 형성하는 공정을 구비한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015446
첨부파일

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