에피택시 기판, 에피택시 기판의 제조 방법 및 에피택시 기판을 구비한 광전 반도체 칩
기관명 | NDSL |
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출원인 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 |
출원번호 | 10-2014-7030905 |
출원일자 | 2014-11-03 |
공개번호 | 20150115 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 발명은 질화물 화합물 반도체 재료용 에피택시 기판(11, 12, 13)에 관한 것이다. 상기 기판은 기판(1) 바로 위에 핵 생성 층(2)을 포함하고, 상기 핵 생성 층(2)은 기둥 구조를 가진 AlON로 이루어진 적어도 하나의 제1 층(21)을 포함한다. 또한, 본 발명은 에피택시 기판의 제조 방법 및 에피택시 기판을 구비한 광전 반도체 칩에 관한 것이다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147030905 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/20,H01L-021/02 |
주제어 (키워드) |