| 초록 |
본원에는 탄소-도핑된 규소 함유 막을 증착시키기 위한 조성물로서, R 5 Si(NR 3 R 4 ) x H 3-x (여기서, x=1, 2, 3)의 화학식을 갖는 오가노아미노알킬실란; R 6 Si(OR 7 ) x H 3-x (여기서, x=1, 2, 3)의 화학식을 갖는 오가노알콕시알킬실란; R 8 N(SiR 9 (NR 10 R 11 )H) 2 의 화학식을 갖는 오가노아미노실란; R 8 N(SiR 9 LH) 2 의 화학식을 갖는 오가노아미노실란, 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 제 1 전구체; 및 임의적으로 화학식 Si(NR 1 R 2 )H 3 을 갖는 화합물을 포함하는 제 2 전구체를 포함하는 조성물이 기술된다.또한, 본원에는 사이클릭 화학적 기상 증착(CCVD), 원자층 증착(ALD), 플라즈마 강화 ALD(PEALD), 및 플라즈마 강화 CCVD(PECCVD)로부터 선택된, 본 조성물을 사용하여 탄소-도핑된 규소-함유 막을 증착시키는 방법이 기술된다. |
