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반도체 장치 제조 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-7020354
출원일자	2016-07-26
공개번호	20160811
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167020354
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