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금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 표시 장치, 이미지 센서 및 X선 센서

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기관명	NDSL
출원인	후지필름 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7012845
출원일자	2016-05-16
공개번호	20160623
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은, 금속 질산염을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하고, 도포막을 건조시켜 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정과, 상기 금속 산화물 전구체막을 금속 산화물막으로 전화하는 공정을 교대로 2회 이상 반복하는 것을 포함하며, 상기 금속 산화물 전구체막을 상기 금속 산화물막으로 전화하는 적어도 2회의 공정에 있어서, 상기 기판의 최고 도달 온도를 120℃ 이상 250℃ 이하로 하여 상기 금속 산화물 전구체막을 상기 금속 산화물막으로 전화하는 금속 산화물막의 제조 방법 및 그것에 의하여 제조된 금속 산화물막 및 그것을 구비한 디바이스를 제공한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167012845
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