접지 표면 설계를 통한 플라즈마 프로세스 에칭-대-증착 비율 조절
기관명 | NDSL |
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출원인 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 |
출원번호 | 10-2013-0135903 |
출원일자 | 2013-11-08 |
공개번호 | 20140522 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 방전 플라즈마의 속성들이 플라즈마의 접지 경로를 변경함으로써 제어되는 플라즈마 증착은, 임의의 플라즈마 증착 환경에서 잠재적으로 이용가능하지만, 이온화된 물리 기상 증착 (iPVD) 갭충진 애플리케이션에서 특정한 사용법을 발견한다.플라즈마 플럭스 이온 에너지 및 E/D 비율은 접지 경로 (접지 표면의 위치, 형상 및/또는 면적) 를 변경함으로써 제어될 수 있다.이러한 방식의 플라즈마 속성들의 제어는 플라즈마 제어를 위한 종래의 값비싸고 복잡한 RF 시스템들에 대한 의존성을 감소 또는 제거할 수 있다.높은 밀도의 플라즈마 소스에 대해, 이온화 분율 및 이온 에너지는 자체-스퍼터링이 임의의 RF 바이어스 없이도 발생할 수도 있기에 충분히 높을 수 있다.그리고, RF 유도된 스퍼터링과는 달리, 자체-스퍼터링은 협소한 이온 에너지 분포를 가지며, 이는 집적을 위한 더 양호한 프로세스 제어능력 및 더 큰 프로세스 윈도우를 제공한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020130135903 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/203,H01L-021/3065,C23C-014/34 |
주제어 (키워드) |