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특허/실용신안

은 입자의 제조 방법 및 당해 방법에 의해 제조되는 은 입자

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤
출원번호 10-2016-7016391
출원일자 2016-06-20
공개번호 20160728
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은, 열 분해성을 갖는 은 화합물과 아민 화합물을 혼합하여 전구체인 은-아민 착체를 제조하는 공정과, 상기 은-아민 착체를 그 분해 온도 이상의 가열 온도에서 가열하여 은 입자를 석출시키는 공정을 포함하는 은 입자의 제조 방법에 있어서, 상기 은 화합물로서 탄산은을 사용하고, 상기 아민 화합물로서, 적어도 한쪽 말단이 1급 아미노기이며, 탄소수 4 내지 10의 소정의 탄화수소기 R을 포함하는 아민 화합물을 혼합하여 은-아민 착체를 제조하는 은 입자의 제조 방법이다.평균 입경 20㎚ 내지 200㎚의 범위 내에서 입경을 제어할 수 있어, 입경이 맞추어진 은 입자를 제조할 수 있는 방법을 제공한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016391
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE B22F-009/30,B22F-001/00,H01B-001/02
주제어 (키워드)