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하전된 입자 빔 리소그래피로 패턴들을 형성하기 위한 방법 및 시스템

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기관명	NDSL
출원인	디2에스, 인코포레이티드
출원번호	10-2014-7001014
출원일자	2014-01-14
공개번호	20140410
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	하전된 입자 빔 리소그래피를 위한 프랙쳐링 또는 마스크 데이터 준비 또는 마스크 공정 보정을 위한 방법에서, 표면상에 패턴을 형성할 복수의 샷들이 결정되며, 여기에서 샷들은 빔 블러(β f )에서의 변화들에 대한 결과적인 패턴의 민감도를 감소시키기 위해 결정된다. 상기 복수의 샷들에서 적어도 일부 샷들은 다른 샷들을 중첩시킨다. 일부 실시예들에서, β f 는 초기 샷 결정 동안 또는 후-처리 단계에서 상기 복수의 샷들에서의 샷 중첩의 양을 제어함으로써 감소된다. β f 에 대한 감소된 민감도는 하전된 입자 빔 리소그래피 공정을 위한 공정 윈도우를 확장시킨다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147001014
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