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특허/실용신안

금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 및 전자 디바이스

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 후지필름 가부시키가이샤
출원번호 10-2016-7014757
출원일자 2016-06-02
공개번호 20160714
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은, 용매 및 금속 성분으로서 적어도 인듐을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하여 금속 산화물 전구체막을 형성하는 전구체막 형성 공정과, 상기 금속 산화물 전구체막을 가열한 상태로, 산소 농도가 80000ppm 이하인 분위기하에서 자외선 조사를 행함으로써 상기 금속 산화물 전구체막을 금속 산화물막으로 전화시키는 전화 공정을 갖는 금속 산화물막의 제조 방법 및 그 응용을 제공한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014757
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/02,H01L-021/288,H01L-027/32,H01L-029/786,H01L-051/50
주제어 (키워드)