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실리콘 단결정 기판의 결함 농도 평가 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7014761
출원일자	2016-06-02
공개번호	20160818
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은, 입자선의 조사에 의해 실리콘 단결정 기판 중에 생성된 결함 농도를 평가하는 방법으로서, 상기 실리콘 단결정 기판의 저항률을 측정한 후, 이 실리콘 단결정 기판에 상기 입자선을 조사하고, 이 조사 후, 상기 실리콘 단결정 기판의 저항률을 재차 측정하고, 상기 입자선의 조사 전후의 저항률의 측정 결과로부터, 조사 전후에 있어서의 실리콘 단결정 기판 중의 캐리어 농도를 각각 구하여 캐리어 농도의 변화율을 산출하고, 이 캐리어 농도의 변화율로부터, 상기 입자선의 조사에 의해 상기 실리콘 단결정 기판 중에 생성되고, 실리콘 원자 공공(空孔)으로 이루어진 VV 결함의 농도를 평가하는 실리콘 단결정 기판의 결함 농도 평가 방법을 제공한다.이에 따라, 입자선의 조사에 의해 실리콘 단결정 기판 중에 생성된 VV 결함의 농도를 간이하게 평가할 수 있는 방법이 제공된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014761
첨부파일

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