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특허/실용신안

이온 주입을 사용한 태양 전지 이미터 영역 제조

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 선파워 코포레이션
출원번호 10-2016-7014749
출원일자 2016-06-02
공개번호 20160818
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 이온 주입을 사용하여 태양 전지 이미터 영역을 제조하는 방법, 및 생성되는 태양 전지가 기술된다.일례에서, 태양 전지의 교번하는 N형 및 P형 이미터 영역들의 제조 방법은 기판 위에 규소 층을 형성하는 단계를 포함한다.규소 층의 제1 주입 영역들을 형성하고 비-주입 영역들을 생성하도록, 규소 층 내에 제1 전도성 유형의 도펀트 불순물 원자들이 제1 섀도 마스크를 통해 주입된다.규소 층의 제2 주입 영역들을 형성하고 나머지 비-주입 영역들을 생성하도록, 규소 층의 비-주입 영역들의 일부분들 내에 제2 반대 전도성 유형의 도펀트 불순물 원자들이 제2 섀도 마스크를 통해 주입된다.규소 층의 나머지 비-주입 영역들은 선택적 에칭 공정으로 제거되는 반면, 규소 층의 제1 및 제2 주입 영역들은 어닐링되어, 도핑된 다결정 규소 이미터 영역들을 형성한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014749
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-031/068,H01L-031/0236,H01L-031/0392,H01L-031/18
주제어 (키워드)