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특허/실용신안

논리 회로 및 반도체 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호 10-2016-7014713
출원일자 2016-06-02
공개번호 20160630
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 클록 게이팅이 수행되는 논리 회로에서, 대기 전력이 감소되거나 오동작이 억제된다. 논리 회로는 클록 신호가 공급되지 않는 기간 동안 소스 단자와 드레인 단자 사이에 전위차가 존재하는 오프 상태에 있는 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터의 채널 형성 영역은 수소 농도가 감소되는 산화물 반도체를 이용하여 형성된다. 구체적으로, 산화물 반도체의 수소 농도는 5 × 10 19 (atoms/cm 3 ) 이하이다. 따라서, 트랜지스터의 누설 전류가 감소될 수 있다. 결과적으로, 논리 회로에서, 대기 전력의 감소 및 오동작의 억제가 달성될 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014713
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H03K-019/00,H01L-027/088,H01L-029/786
주제어 (키워드)