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특허/실용신안

성막 장치 및 성막 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
출원번호 10-2016-7007832
출원일자 2016-03-24
공개번호 20160510
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 원료 가스와 반응 가스를 사용하여 원자층 단위로 막을 형성하는 때에, 기판이 배치된 성막 공간에 원료 가스를 공급하여 상기 기판에 흡착시킨다. 또한, 상기 성막 공간에 반응 가스를 공급한다. 상기 성막 공간에서, 상기 성막 공간에 공급된 상기 반응 가스를 사용하여 플라즈마원의 전극판에서 플라즈마를 생성하고, 상기 기판에 흡착한 원료 가스의 성분의 일부와 상기 반응 가스를 반응시킨다. 이때, 상기 플라즈마의 생성 계속 시간이, 0.5m초~100m초의 범위 내이고, 형성하려는 막의 특성의 고저의 정도에 따라 설정된 시간이며, 또한 상기 플라즈마원에 투입하는 전력의 전력 밀도가 0.05W/cm 2 ~10W/cm 2 의 범위 내이다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167007832
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C23C-016/455,C23C-016/509,H01L-021/02,H01L-021/28,H05H-001/46
주제어 (키워드)