반도체 장치
기관명 | NDSL |
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출원인 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
출원번호 | 10-2016-0077403 |
출원일자 | 2016-06-21 |
공개번호 | 20160630 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 발명은, 전력이 공급되지 않는 경우라도 기억된 내용을 유지할 수 있고, 또 기록 횟수의 제한이 없는, 새로운 구조의 반도체 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 산화물 반도체를 사용한 기록용 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 상이한 반도체 재료를 사용한 판독용 트랜지스터 및 용량 소자를 포함하는 비휘발성의 메모리 셀을 갖는 반도체 장치를 제공한다.메모리 셀에 대한 기록은, 기록용 트랜지스터를 온 상태로 함으로써 기록용 트랜지스터의 소스 전극(또는 드레인 전극)과, 용량 소자의 전극의 한쪽과, 판독용 트랜지스터의 게이트 전극이 전기적으로 접속된 노드에 전위를 공급한 후, 기록용 트랜지스터를 오프 상태로 하여, 노드에 소정의 양의 전하를 유지시킴으로써 행한다.또한, 판독용 트랜지스터로서 p채널형 트랜지스터를 사용하여 판독 전위를 양(正)의 전위로 한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160077403 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-027/115,G11C-011/21,G11C-013/00,G11C-016/04,H01L-027/12,H01L-049/02 |
주제어 (키워드) |