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박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-7022350
출원일자	2016-08-16
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 실시예들에는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 생산 방법이 개시되어 있는데, 생산 방법은: 기판상에 활성층 박막과 도전층 박막을 형성하는 단계; 박막 트랜지스터(TFT)의 적어도 두 개의 데이터 라인, 화소 전극 및 소스/드레인 전극을 형성하기 위해, 도전층 박막 상에 소스/드레인 전극층 박막을 피착하고, 그레이 톤 또는 하프 톤 마스킹 프로세스를 사용하여 도전층 박막과 소스/드레인 전극층 박막을 처리하는 단계; TFT의 활성층을 형성하기 위해, 활성층 박막, 소스/드레인 전극, 데이터 라인들 및 화소 전극을 덮는 절연층 박막을 피착한 후에, 절연층 상에 TFT의 게이트 절연층 및 관통홀을 형성하는 단계; 및 TFT의 게이트 전극, 및 데이터 라인들과 교차하는 적어도 두 개의 게이트 스캔 라인을 형성하는 단계를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167022350
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