구리가 풍부한 구리 인듐 (갈륨) 디셀레나이드/디설파이드 나노 입자의 제조
기관명 | NDSL |
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출원인 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 |
출원번호 | 10-2016-7015842 |
출원일자 | 2016-06-14 |
공개번호 | 20160721 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드/디설파이드(CIGS) 나노 입자 제조 방법은 구리가 풍부한 화학양론을 활용한다. 유기 칼코겐 리간드로 캡핑된 구리가 풍부한 CIGS 나노 입자는 유기 용매에서 나노 입자를 처리 가능하게 한다. 나노 입자는 기판 상에 증착될 수 있고, 칼코겐이 풍부한 분위기에서 열처리되어 과잉 구리를 액상 소결 및 이에 따른 큰 결정 성장을 촉진하는 소결 플럭스로서 작용할 수 있는 구리 셀레나이드 또는 구리 설파이드로 변환하는 것을 용이하게 할 수 있다. 이렇게 생성된 나노 입자는 CIGS 기반 광전지 소자를 제조하기 위해 사용될 수 있다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015842 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | C01G-015/00,C01B-019/00,H01L-031/0236,H01L-031/0392,H01L-031/0445,H01L-031/0749,H01L-031/18 |
주제어 (키워드) |