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마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	호야 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7021196
출원일자	2016-08-02
공개번호	20160818
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	차광막에 전이 금속 실리사이드계 재료를 사용하는 경우에 있어서, 차광막의 박막화가 도모되고, 또한, ArF 내광성의 문제도 클리어하는 것이 가능한 위상 시프트 마스크 및 이것을 제작하기 위한 마스크 블랭크를 제공한다.투광성 기판(1) 상에, 위상 시프트막(2), 차광막(4)을 갖는 마스크 블랭크(10)로서, 위상 시프트막(2)을 ArF 내광성을 갖는 재료로 형성하고, 차광막(4)의 적어도 1개의 층을, 전이 금속, 규소 및 질소를 함유하고, 또한 이하의 수학식 1의 조건을 만족시키는 재료에 의해 형성한다. [수학식 1] 단, R M 은, 상기 1개의 층에 있어서의 전이 금속 및 규소의 합계 함유량에 대한 전이 금속의 함유량의 비율이고, C N 은, 상기 1개의 층에 있어서의 질소의 함유량.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167021196
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