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특허/실용신안

GAN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD ALN 버퍼

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호 10-2015-7028842
출원일자 2015-10-13
공개번호 20151126
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD AlN 버퍼가 개시된다.산소-제어된 방식으로 GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 PVD AlN 버퍼를 형성시키는 방법이 또한 개시된다.예로서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키는 방법은 기판 상에 AlN 층을 반응성 스퍼터링시킴을 포함하고, 반응성 스퍼터링은 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 물리 기상 증착(PVD) 챔버에 수용된 알루미늄-함유 타겟을 반응시킴을 포함한다.이러한 방법은 산소를 AlN 층에 도입함을 추가로 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157028842
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-033/12,H01J-037/32,H01J-037/34,H01L-021/203,H01L-031/18,H01L-033/00
주제어 (키워드)