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특허/실용신안

하전 입자 빔 리소그래피를 사용한 임계 치수 균일성을 위한 방법 및 시스템

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 디2에스, 인코포레이티드
출원번호 10-2014-7032204
출원일자 2014-11-17
공개번호 20150109
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 마스크 데이터 준비 또는 마스크 프로세스 보정을 위한 방법이 개시되고, 여기서 표면 상에 패턴을 형성할 수 있는 하전 입자 빔 샷들의 세트가 결정되고, 여기서 패턴의 CDU(critical dimension uniformity)가 최적화된다.일부 실시예들에서, CDU는 적어도 2 개의 요인들을 변경함으로써 최적화된다.다른 실시예들에서, 모델-기반 기술들이 사용된다.또 다른 실시예들에서, 표면은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위해 광학 리소그래피 프로세스에서 사용될 레티클이고, 웨이퍼 상의 CDU가 최적화된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147032204
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/027,G03F-001/70
주제어 (키워드)