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반도체 장치

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0055122
출원일자	2016-05-04
공개번호	20160526
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	전기 특성이 제어된 산화물 반도체층을 사용하여 제작된 저항 소자 및 박막 트랜지스터를 이용한 구동 회로, 및 상기 구동 회로를 이용한 반도체 장치를 제공한다. 저항 소자(354)에 적용되는 산화물 반도체층(905) 위에 실란(SiH 4 ) 및 암모니아(NH 3 ) 등의 수소 화합물을 포함하는 가스를 사용한 플라즈마 CVD법에 의하여 형성된 질화 실리콘층(910)이 직접 접하도록 형성되고, 또 박막 트랜지스터(355)에 적용되는 산화물 반도체층(906)에는, 배리어층으로서 기능하는 산화 실리콘층(909)을 사이에 두고 질화 실리콘층(910)이 형성된다.그래서, 산화물 반도체층(905)에는, 산화물 반도체층(906)보다 고농도로 수소가 도입된다.결과적으로, 저항 소자(354)에 적용되는 산화물 반도체층(905)의 저항 값이 박막 트랜지스터(355)에 적용되는 산화물 반도체층(906)의 저항 값보다 낮게 된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160055122
첨부파일

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