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차별화된 P형 및 N형 영역 아키텍처를 갖는 태양 전지 이미터 영역 제조

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기관명	NDSL
출원인	선파워 코포레이션
출원번호	10-2016-7015749
출원일자	2016-06-14
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	차별화된 P형 및 N형 영역 아키텍처를 갖는 태양 전지 이미터 영역의 제조 방법, 및 생성되는 태양 전지가 기술되어 있다.일례에서, 배면 접점 태양 전지는 수광 표면 및 배면 표면을 갖는 기판을 포함한다.제1 전도형의 제1 다결정 규소 이미터 영역이 기판의 배면 표면 상에 배치된 얇은 제1 유전체 층 상에 배치된다.상이한 제2 전도형의 제2 다결정 규소 이미터 영역이 기판의 배면 표면 상에 배치된 얇은 제2 유전체 층 상에 배치된다.얇은 제3 유전체 층이 제1 다결정 규소 이미터 영역과 제2 다결정 규소 이미터 영역 사이에서 바로 측방향으로 배치된다.제1 전도성 접촉 구조물이 제1 다결정 규소 이미터 영역 상에 배치된다.제2 전도성 접촉 구조물이 제2 다결정 규소 이미터 영역 상에 배치된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015749
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