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특허/실용신안

라이프 타임 킬러로 사용하기 위한 금속 불순물 농도 제 어법

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 ,,,
출원번호 10-1993-0027307
출원일자 1993-12-10
공개번호 20080509
공개일자 1997-05-23
등록번호 10-0122223-0000
등록일자 1997-09-03
권리구분 KPTN
초록 반도체 전력소자의 스위칭 시간 특성을 불순물 확산에 의해 얻어지는 웨이퍼 내부의 라이프 타임 킬러에 의해 결정된다. 본 발명은 반도체 전력소자의 스위칭 시간 결정용 라이프 타임 킬러로 사용될 금속불순물 확산시, 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 금속불순물(Au, Pt)을 진공증착한 후, 1000℃의 질소 분위기하에서 RTP(30-300초)를 이용한 급속 열확산 공정을 실행하여, 실리콘 웨이퍼 내부에 금속불순물을 전력소자의 활성영역으로 사용될 기판 앞면까지 도달시키는 것으로, 라이프 타임 킬러로 사용하기 위한 금속불순물 농도를 쉽게 제어할 수 있게 된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1019930027307
첨부파일

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