칼럼 IV 또는 칼럼 IV-IV물질들 상의 칼럼 III-V 물질들을 위한 계면 충전을 방지하는 핵형성층을 갖는 반도체 구조들
기관명 | NDSL |
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출원인 | 레이티언 캄파니 |
출원번호 | 10-2015-7036954 |
출원일자 | 2015-12-29 |
공개번호 | 20160121 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 반도체 구조는, 칼럼 IV 물질 또는 칼럼 IV-IV 물질; 상기 칼럼 IV 물질 또는 칼럼 IV-IV 물질의 표면상의 AlN층 또는 60% 이상의 알루미늄 함량을 갖는 칼럼 III 질화물의 핵형성층 그리고 상기 핵형성층 상의 칼럼 III-V 물질의 층을 포함하며, 상기 핵형성층과 상기 핵형성층 상부의 상기 칼럼 III-V 물질의 층이 다른 결정학적 구조들을 가진다. 일 실시예에 있어서, 상기 칼럼 III-V 핵형성층은 질화물이며, 상기 핵형성층 상부의 상기 칼럼 III-V 물질의 층은, 예를 들면, 비소화물(예를 들면, GaAs), 인화물(예를 들면, InP) 혹은 안티몬화물(예를 들면, InSb), 또는 이들의 합금들과 같은 비-질화물이다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157036954 |
첨부파일 |
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