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낮은 프로파일 기재의 밀착력 향상 방법

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기관명	NDSL
출원인	삼성전기주식회사
출원번호	10-2012-0114185
출원일자	2012-10-15
공개번호	20140502
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 기재의 표면을 친수화 처리하는 단계, 및 상기 친수화 처리된 기재를 화학 동(Cu) 도금시키는 단계를 포함하는 낮은 프로파일 기재 표면의 접착력 향상 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 낮은 프로파일 기재에 미세 회로 패턴을 구현하기 위해 대기압 플라즈마를 이용한 표면 친수화 처리 및 화학 동 도금 공정으로 블리스터(Blister)가 발생을 억제하여 미세 회로 패턴의 형성이 가능하고, 상기 형성된 미세 회로 패턴과의 밀착력이 개선되는 효과를 가진다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020120114185
첨부파일

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