선택적 에피택셜 성장된 III-V족 재료 기반 디바이스
기관명 | NDSL |
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출원인 | 인텔 코포레이션 |
출원번호 | 10-2015-7032315 |
출원일자 | 2015-11-11 |
공개번호 | 20160512 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 제1 III-V족 재료 기반 버퍼층은 실리콘 기판 상에 퇴적된다.제2 III-V족 재료 기반 버퍼층은 제1 III-V족 재료 기반 버퍼층 상에 퇴적된다.III-V족 재료 기반 디바이스 채널층은 제2 III-V족 재료 기반 버퍼층 상에 퇴적된다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157032315 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/66,H01L-021/02,H01L-029/78 |
주제어 (키워드) |