| 초록 |
본 고안은, a. 기판에 무촉매층 구비 그 이후, b. 에칭 가스 및 탄소-포함 가스를 공급하고 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을 수행하되, c. 상기 탄소-포함 가스 공급에서 무촉매층의 에칭 가스를 같이 공급하여, 상기 무촉매층 상에서 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 무촉매층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 무촉매층 상에 그래핀을 성장시키되, d. 상기 c 의 공정에서, 계속적인 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을 수행하되, 에칭 가스로 인하여, 무촉매층이 계속적으로 전부 제거되어, 무촉매층을 포함하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 고안은, a. 기판에 무촉매층 구비 그 이후, b. 에칭 가스 및 탄소-포함 가스를 공급하고 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을 수행하되, c. 상기 탄소-포함 가스 공급에서 무촉매층의 에칭 가스를 같이 공급하여, 상기 무촉매층 상에서 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 무촉매층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 무촉매층 상에 그래핀을 성장시키되, d. 상기 c 의 공정에서, 계속적인 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을 수행하되, 에칭 가스로 인하여, 무촉매층이 계속적으로 전부 제거되어, 무촉매층을 포함하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 고안은 무촉매 기판 성장 그래핀으로써, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판의 표면에 직접 접하고, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제공한다. 또한, 본 고안은 무촉매 기판 성장 그래핀으로써, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판의 표면에 직접 접하고, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제공한다. |
