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특허/실용신안

DC 바이어스 변조에 의한 입자 발생 억제기

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호 10-2016-7014907
출원일자 2016-06-03
공개번호 20160714
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 개시물의 실시예들은 일반적으로 처리 챔버 내에서의 입자 발생을 감소시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.일 실시예에서, 이 방법은 급전되는 상부 전극과 접지되는 하부 전극 사이에서 플라즈마를 발생시키는 단계 - 상부 전극은 하부 전극에 평행함 -; 및 급전되는 상부 전극과 플라즈마 사이의 전기 전위 차이 및/또는 접지되는 하부 전극과 플라즈마 사이의 전기 전위 차이를 최소화하기 위해, 막 퇴적 프로세스 동안 급전되는 상부 전극에 일정한 제로 DC 바이어스 전압을 인가하는 단계를 일반적으로 포함한다.플라즈마와 전극들 사이의 전기 전위 차이를 최소화하면 입자 발생이 감소되는데, 그 이유는 전극들의 시스 영역 내의 이온들의 가속이 감소되고, 전극들 상의 보호 코팅 층과 이온들의 충돌력이 최소화되기 때문이다.그러므로, 기판 표면 상의 입자 발생이 감소된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014907
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C23C-016/44,C23C-016/503,C23C-016/509,C23C-016/52,H01J-037/32
주제어 (키워드)