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특허/실용신안
하드마스크를 측면으로 트리밍하기 위한 방법
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 |
| 출원번호 | 10-2016-7007044 |
| 출원일자 | 2016-03-17 |
| 공개번호 | 20160428 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 본원의 기술은 플루오르 탄소 플라즈마를 중합시키는데 있어서 유전체의 제어가능한 측면 에칭을 위한 방법을 포함한다.방법은 실리콘 에칭 프로세스의 일부로서 마스크 트리밍 단계를 이용하는 유전체 스택 에칭 단계를 포함할 수 있다.유전체 마스크 트리밍을 위해 플루오르 탄소 혼합물을 사용함으로써 프로세스 흐름에 대해 추가적인 유연성이 제공된다.따라서, 본원의 기술은 하드마스크 상에 CD를 정정하거나 조정하기 위한 방법을 제공한다.일반적으로, 이러한 기술은 플라즈마를 생성하고, 2개의 화학물의 비를 제어하기 위해 불소-기반 및 플루오르 탄소-기반, 또는 플루오르-탄화수소-기반 화학을 이용하는 것을 포함할 수 있다.본원에 개시되는 하드마스크 트림 방법없이, 하드마스크 CD가 타겟 상에 있지 않다면, 그 후에 웨이퍼가 폐기된다.본원에 개시된 바와 같은 실리콘 에칭에서의 하드-마스크 트림 능력으로, 정해진 CD는 웨이퍼-폐기물을 제거하기 위해 재-타겟팅(re-targeted)될 수 있다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167007044 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/3065,H01L-021/308,H01L-021/311,H01L-021/3213,H05H-001/46 |
| 주제어 (키워드) |