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다이아몬드상의 질화갈륨 웨이퍼 및 제조 장치 및 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	엘리먼트 씩스 테크놀로지스 유에스 코포레이션
출원번호	10-2014-7026895
출원일자	2014-09-25
공개번호	20141121
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본원에는 와이드-갭 반도체, 구체적으로는 질화갈륨 에피층을 합성 다이아몬드 기판과 집적시키는 방법이 개시되어 있다.하나 이상의 질화갈륨 층을 포함하는 층상 구조체 상에 침착되거나 형성된 핵 형성 층 위로 합성 다이아몬드를 침착시킴으로써 다이아몬드 기판을 제조한다.낮은 보우(bow) 및 높은 결정 품질을 갖는 다이아몬드 상의 GaN 웨이퍼를 제조하는 방법이, 특정 용도에 맞춰진 다이아몬드 상의 GaN 웨이퍼 및 칩을 제조하기 위한 바람직한 선택 사항들과 함께 개시되어 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147026895
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