실리콘-함유 반응 물질들에 의해 보조된 저온 몰리브덴 증착
기관명 | NDSL |
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출원인 | 램 리써치 코포레이션 |
출원번호 | 10-2024-7023348 |
출원일자 | 2024-07-11 |
공개번호 | 20240725 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 몰리브덴-함유 막들은 약 100 내지 약 500 ℃, 예컨대 약 200 내지 약 450 ℃의 상대적으로 저온들에서 반도체 기판들 상에 증착된다.예를 들어, 몰리브덴 금속은 이 온도에서 실질적으로 비선택적인 방식으로 노출된 금속 및 노출된 유전체를 갖는 기판 상에 증착될 수 있다.일 구현 예에서, 리세스된 피처를 갖는 기판이 제공되고, 리세스된 피처는 측벽들 상에 노출된 유전체를 갖고 하단부 상에 노출된 금속을 갖는다.기판은 몰리브덴-함유 전구체, 환원제, 및 실리콘-함유 시약에 노출되어, 몰리브덴-함유 전구체를 환원시키고 금속 몰리브덴을 포함하는 몰리브덴-함유 층을 형성한다.실리콘-함유 반응 물질의 사용은 몰리브덴 증착의 금속 상 (on-metal)/유전체 상 (on-dielectric) 선택도의 감소를 야기한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020247023348 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/285,C23C-016/02,C23C-016/04,C23C-016/14,C23C-016/455,C23C-016/509,C23C-016/52,C23C-016/54,H |
주제어 (키워드) |