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광 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및 은용 표면 처리제 및 발광 장치

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기관명	NDSL
출원인	히타치가세이가부시끼가이샤
출원번호	10-2016-7018624
출원일자	2016-07-11
공개번호	20160818
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 일측면에 따른 광 반도체 장치는, 표면에 은 도금층이 형성된 기판과, 은 도금층에 본딩된 발광 다이오드와 발광 다이오드를 에워싸는 광 반사면에 의해 발광 다이오드를 수용하는 내측 공간을 형성하는 광 반사부와, 은 도금층을 피복하는 은황화 방지막과, 내측 공간에 충전되어 발광 다이오드를 봉지하는 투명 봉지부를 구비하고, 은황화 방지막은, 점토에 의한 가스 배리어성을 가지는 가스 배리어층과, 가스 배리어층의 하층에 배치되고 접착성을 가지는 프라이머층을 가지고, 투명 봉지부와 프라이머층이 접촉되어 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167018624
첨부파일

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