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플라즈마 밀도를 제어하는 시스템 및 방법

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기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7018589
출원일자	2016-07-11
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 개시는, 프로세싱되는 기판의 엣지 또는 주위 근방의 플라즈마 밀도를 제어하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템과 관련된다.플라즈마 프로세싱 시스템은 기판을 수용하고 프로세싱할 수 있는 플라즈마 챔버를 포함할 수 있고, 기판을 에칭하기 위해 플라즈마를 사용하고, 기판을 도핑하고, 또는 기판 상에 필름을 퇴적한다. 본 개시는 기판을 둘러싸는 포커스 링 전극과 바이어스 전극의 맞은편이 될 수 있는 파워 전극을 포함할 수 있는 플라즈마 프로세싱 시스템에 관한 것이다.일 실시형태에서 파워 전극은 직류(DC) 소스에 연결될 수 있다.바이어스 전극에 인가되는 파워는 기판으로 이온을 견인하기(draw) 위해 사용될 수 있다.기판 및/또는 바이어스 전극 주위에 배치되는 포커스 링에 포커스 링 전압을 인가함으로써 플라즈마 밀도가 더 균일하게 만들어질 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167018589
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