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특허/실용신안

반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호 10-2016-7016729
출원일자 2016-06-22
공개번호 20160630
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 산화물 반도체를 이용한 반도체 장치에 안정된 전기적 특성을 부여하여, 고신뢰성화하는 것을 목적의 하나로 한다.산화물 반도체막을 갖는 보텀 게이트 구조의 트랜지스터의 제작 공정에 있어서, 열처리에 의한 탈수화 또는 탈수소화 처리, 및 산소도핑 처리를 실시한다.열처리에 의한 탈수화 또는 탈수소화 처리 및 산소도핑 처리된 산화물 반도체막을 갖는 트랜지스터는, 바이어스-열스트레스 시험(BT시험) 전후에 있어서도 트랜지스터의 스레숄드 전압의 변화량이 저감되어 있어서, 신뢰성이 높은 트랜지스터로 할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016729
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/66,H01L-021/02,H01L-021/265,H01L-021/324,H01L-029/417,H01L-029/45,H01L-029/49,H01L-029/786
주제어 (키워드)