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반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0077897
출원일자	2016-06-22
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	금속 재료로 이루어지는 소스 전극 및 드레인 전극과, 산화물 반도체막이 직접 접하는 박막 트랜지스터 구조로 하면, 콘택트 저항이 높아질 우려가 있다.콘택트 저항이 높아지는 원인으로서는, 소스 전극 및 드레인 전극과, 산화물 반도체막의 접촉면에서 쇼트키 접합이 형성되는 것이 요인의 하나로서 생각된다. 산화물 반도체막과 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 1nm 이상 10nm 이하의 크기의 결정립을 갖고, 채널 형성 영역이 되는 산화물 반도체막보다 캐리어 농도가 높은 산소 결핍 산화물 반도체층을 형성한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160077897
첨부파일

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